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词语：晶圆热度：8
词语晶圆拆分为汉字：
晶字的拼音、笔画、偏旁部首、笔顺、繁体字，晶字字源来历，晶字演变
〔结～〕ａ．物质从液态或气态形成晶体；ｂ．喻珍贵的成果，如“这部作品是他多年研究的～～”。形容光亮：～莹。～亮。～明。亮～～。……
圆字的拼音、笔画、偏旁部首、笔顺、繁体字，圆字字源来历，圆字演变
从中心点到周边任何一点的距离都相等的形：～形。～圈。～周。～锥。～柱。完备，周全：～满。～全。使之周全：自～其说。～谎。～场。占梦以决吉凶：～梦。宛转，滑利：～滑。～润。运转无碍：～熟。～通。货币单位。亦作“元”。姓。……
查询词语：晶圆
汉语拼音：jīng yuán
词语晶圆基本解释
晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨，抛光，切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆。国内晶圆生产线以 8英寸和12英寸为主。
晶圆的主要加工方式为片加工和批加工，即同时加工1片或多片晶圆。随着半导体特征尺寸越来越小，加工及测量设备越来越先进，使得晶圆加工出现了新的数据特点。同时，特征尺寸的减小，使得晶圆加工时，空气中的颗粒数对晶圆加工后质量及可靠性的影响增大，而随着洁净的提高，颗粒数也出现了新的数据特点。
词语晶圆在线造句
Virgin Test Wafer- A wafer that has not been used in manufacturing or other processes.
原始测试晶圆片-还没有用于生产或其他流程中的晶圆片。
The green "metal free tool" sign indicates that this machine is used in a part of the process prior to the addition of copper circuits.
绿色的“非金属添加工具（metalfreetool）”标志意味着硅晶圆必须得经过这台机器的处理以后，才能去添加铜质电路。
Area Contamination - Any foreign particles or material that are found on the surface of a wafer.
沾污区域-任何在晶圆片表面的外来粒子或物质。
At Dresden's other big "fab" , as chip-fabrication plants are called, is an indicator of another change that may prove just as damaging.
在德累斯顿的另外一个被称为芯片制造工厂的大晶圆厂则表现了一种纯粹破坏性的的改变。
Contamination Particulate - Particles found on the surface of a silicon wafer.
沾污颗粒-晶圆片表面上的颗粒。
It takes six months to a year to build a highly automated factory to make solar cells from solar wafers.
而建一座高度自动化的、可以用太阳能晶圆制造太阳能电池的工厂则需六个月至一年时间。
Alternatively, coating the wafer with a nanotube-containing solvent by spinning the disk like a phonograph record also had its problems.
而要是使晶圆像留声机唱盘那样旋转，让含有奈米碳管的溶剂附著在晶圆表面，也还是有问题。
she was used to pitch products from cigarettes and sewing thread to wafers and to urge young men to get into uniform, if only as Boy Scouts.
她用沥青香烟及缝纫线产品的晶圆，并敦促年轻人进入统一的，若只能童子军。
Waviness - Widely spaced imperfections on the surface of a wafer.
波纹-晶圆片表面经常出现的缺陷。
词语晶圆百科解释：
晶圆制作流程
如图1所示，常见的 200mm CMOS 芯片的晶圆制造过程。
化学气相沉积是在制造微电子器件时被用来沉积出某种薄膜的技术，这种薄膜可能是介电材料或者半导体。物理气相沉积技术则是使用惰性气体，撞击溅镀靶材，在晶圆表面沉积出所需的材质。制程反应室内的高温和真空环境可以使这些金属原子结成晶粒，在经过图案化（patterned）和蚀刻，得到所需的导电电路。
光学显影是将光罩上的图形转换到薄膜上。光学显影一般包括光阻涂布、烘烤、光照对准、曝光和显影等步骤。干式蚀刻是最常用的蚀刻方式，其以气体为主要的蚀刻媒介，由电浆来驱动反应。蚀刻是将表面某种不需要的材质部分移除。
化学机械研磨（Chemical Mechanical Polishing，CMP）是既有机械研磨又有酸碱溶液式的化学研磨两种相结合的技术，可以使晶圆表面较为平坦，方便后面工序。在进行研磨时，研磨浆在晶圆和研磨垫之间。影响CMP的因素有：研磨头的压力和晶圆平坦度，旋转速度，研磨浆的化学成分等等。
晶圆性能参数
硅晶圆和硅太阳能电池分别是半导体材料和半导体器件的典型代表。半导体特性参数衡量和表征材料及其器件的性能。由于载流子是半导体材料及器件的功能载体，载流子移动形成电流及电场，同时载流子具有发光、热辐射等特性，因此载流子参数是表征半导体材料及器件载流子输运特性的基础，即载流子参数是硅晶圆和硅太阳能电池特性参数的重要组成部分。当硅晶圆经过加工、制造形成硅太阳能电池后，由于pn结和费米能级的差异，导致载流子分离形成电压，进而有饱和电流、填充因子和光电转化效率等电性能参数直观反映并影响太阳能电池伏安特性。综上分析，硅晶圆的主要特性参数包括载流子参数。
载流子分为多数载流子和少数载流子，包括电子和空穴。载流子扩散和漂移形成电流构成半导体器件传递信息的基础。载流子输运参数是描述载流子运动和浓度的基本参数，主要包括载流子寿命、扩散系数及前、后表面复合速率等。这些参数直接反映了半导体材料的物理特性和电学性能，影响载流子浓度、迁移率；掺杂浓度是决定载流子浓度另一重要参数，影响材料电阻率和载流子寿命等参数，决定器件性能。
载流子浓度
多数半导体器件为少数载流子器件，如硅太阳能电池。本文后续提到的载流子参数均为少数载流子参数。半导体在热平衡状态下，空穴和电子浓度相等，此时为稳态；当受到外部激励（光、电、热等能量激励）时，半导体处于非平衡状态，电子和空穴均增加，形成过剩载流子。载流子寿命（lifetime），是指过剩载流子平均存在时间，载流子浓度满足指数衰减规律。
载流子寿命
载流子寿命根据载流子复合类型可分为辐射复合寿命、俄歇复合寿命以及Shockley-Read-Hal（SRH）复合寿命。载流子寿命是反映材料和器件缺陷浓度的重要参数，也是衡量器件开关速度、电流增益、电压等特性的重要指标，同时对半导体激光器、光电探测器以及太阳能电池等光电子器件的电光和光电转化效率起到重要作用。
表面复合速率
载流子既在材料体内发生复合也在表面发生复合。表面复合寿命或表面复合速率（Surface recombination velocity，s）是描述载流子在表面复合快慢的物理量。表面复合寿命越大说明表面复合速率越低，反之，表面复合速率越高。表面粗糙度、表面悬挂键等表面物理性质和状态是影响表面复合速率的关键。表面复合速率是表征材料的表面质量的重要性能参数。
有效寿命
载流子有效寿命是将体寿命和表面复合寿命综合的参数，是特定样件载流子整体寿命的表征。目前大多数检测技术检测的载流子寿命为载流子有效寿命，无法将体寿命和表面复合速率分离，因此很难逐一分析表面处理工艺、体内缺陷和掺杂等过程对硅晶圆和太阳能电池性能的影响。
扩散系数
扩散系数（Diffusion coefficient，D）是表征在单位时间单位面积上，载流子通过界面快慢的物理量。扩散系数和载流子寿命共同决定载流子扩散长度（Diffusion length），扩散长度是评价材料性能的典型参数，载流子扩散长度越长材料质量越好；对于太阳能电池来说，载流子扩散长度越长载流子分离和收集效率越好、光电转化效率越高。
掺杂
掺杂是形成功能半导体的必要环节，掺杂浓度对电阻率和载流子输运参数有着重要影响。本征半导体，即不掺杂半导体，常温时电阻率非常高，随着掺杂浓度增加，电阻率降低，载流子寿命和扩散长度逐渐降低。
